Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > APTM100DDA35T3G
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
4079937

APTM100DDA35T3G

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    APTM100DDA35T3G
  • Producator / Marca
    Microsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1.APTM100DDA35T3G.pdf
    2.APTM100DDA35T3G.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SP3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    420 mOhm @ 11A, 10V
  • Putere - Max
    390W
  • ambalare
    Bulk
  • Pachet / Caz
    SP3
  • Temperatura de Operare
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Chassis Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    5200pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    186nC @ 10V
  • Tipul FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Standard
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    1000V (1kV)
  • descriere detaliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP3
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    22A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „APTM100DDA35T3G”.
APTM100DA40T1G

APTM100DA40T1G

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 20A SP1

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100DUM90G

APTM100DUM90G

Descriere: MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100H45SCTG

APTM100H45SCTG

Descriere: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100H18FG

APTM100H18FG

Descriere: MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100DAM90G

APTM100DAM90G

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 78A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100A23STG

APTM100A23STG

Descriere: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100DA18CT1G

APTM100DA18CT1G

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100H46FT3G

APTM100H46FT3G

Descriere: MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100H35FTG

APTM100H35FTG

Descriere: MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100DA33T1G

APTM100DA33T1G

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 23A SP1

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100H35FT3G

APTM100H35FT3G

Descriere: MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100DU18TG

APTM100DU18TG

Descriere: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100A40FT1G

APTM100A40FT1G

Descriere: MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100H45FT3G

APTM100H45FT3G

Descriere: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100A46FT1G

APTM100A46FT1G

Descriere: MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100AM90FG

APTM100AM90FG

Descriere: MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100H45STG

APTM100H45STG

Descriere: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100DSK35T3G

APTM100DSK35T3G

Descriere: MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100DA18TG

APTM100DA18TG

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 43A SP4

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100DA18T1G

APTM100DA18T1G

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.