Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > APTM100A23STG
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
3108605

APTM100A23STG

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
100+
$99.915
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    APTM100A23STG
  • Producator / Marca
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    5V @ 5mA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SP4
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    270 mOhm @ 18A, 10V
  • Putere - Max
    694W
  • ambalare
    Bulk
  • Pachet / Caz
    SP4
  • Temperatura de Operare
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Chassis Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    32 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    8700pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    308nC @ 10V
  • Tipul FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET Feature
    Standard
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    1000V (1kV)
  • descriere detaliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 36A 694W Chassis Mount SP4
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    36A
APTM100A13SG

APTM100A13SG

Descriere: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
APTM100DA18CT1G

APTM100DA18CT1G

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

Producători: Microsemi
In stoc
APTM100A23SCTG

APTM100A23SCTG

Descriere: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4

Producători: Microsemi
In stoc
APTM100DA18T1G

APTM100DA18T1G

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

Producători: Microsemi
In stoc
APTM08TAM04PG

APTM08TAM04PG

Descriere: MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P

Producători: Microsemi
In stoc
APTM100A46FT1G

APTM100A46FT1G

Descriere: MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1

Producători: Microsemi
In stoc
APTM100DA40T1G

APTM100DA40T1G

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 20A SP1

Producători: Microsemi
In stoc
APTM100DA18TG

APTM100DA18TG

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 43A SP4

Producători: Microsemi
In stoc
APTM08TDUM04PG

APTM08TDUM04PG

Descriere: MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P

Producători: Microsemi
In stoc
APTM100AM90FG

APTM100AM90FG

Descriere: MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
APTM100DAM90G

APTM100DAM90G

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 78A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
APTM100A18FTG

APTM100A18FTG

Descriere: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4

Producători: Microsemi
In stoc
APTM100A12STG

APTM100A12STG

Descriere: MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W

Producători: Microsemi
In stoc
APTM100A13SCG

APTM100A13SCG

Descriere: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
APTM100DA33T1G

APTM100DA33T1G

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 23A SP1

Producători: Microsemi
In stoc
APTLVTR

APTLVTR

Descriere: SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V

Producători: APEM Inc.
In stoc
APTM100A13DG

APTM100A13DG

Descriere: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
APTM100DDA35T3G

APTM100DDA35T3G

Descriere: MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

Producători: Microsemi
In stoc
APTM100A40FT1G

APTM100A40FT1G

Descriere: MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1

Producători: Microsemi
In stoc
APTM-AMBPA012-001

APTM-AMBPA012-001

Descriere: NUT M12X1.5 BRASS C3604

Producători: Amphenol LTW
In stoc

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși