Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > APTM100DA33T1G
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1739406

APTM100DA33T1G

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
100+
$30.25
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    APTM100DA33T1G
  • Producator / Marca
    Microsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1.APTM100DA33T1G.pdf
    2.APTM100DA33T1G.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SP1
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    396 mOhm @ 18A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    390W (Tc)
  • ambalare
    Bulk
  • Pachet / Caz
    SP1
  • Temperatura de Operare
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Chassis Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    32 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    7868pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    305nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    1000V
  • descriere detaliata
    N-Channel 1000V 23A (Tc) 390W (Tc) Chassis Mount SP1
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    23A (Tc)

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „APTM100DA33T1G”.
APTM100DA18CT1G

APTM100DA18CT1G

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100DSK35T3G

APTM100DSK35T3G

Descriere: MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100DA18TG

APTM100DA18TG

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 43A SP4

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100H45FT3G

APTM100H45FT3G

Descriere: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100DUM90G

APTM100DUM90G

Descriere: MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100A40FT1G

APTM100A40FT1G

Descriere: MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100H35FTG

APTM100H35FTG

Descriere: MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100H18FG

APTM100H18FG

Descriere: MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100DDA35T3G

APTM100DDA35T3G

Descriere: MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100AM90FG

APTM100AM90FG

Descriere: MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100DAM90G

APTM100DAM90G

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 78A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100A23SCTG

APTM100A23SCTG

Descriere: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100H35FT3G

APTM100H35FT3G

Descriere: MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100DA40T1G

APTM100DA40T1G

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 20A SP1

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100A13SG

APTM100A13SG

Descriere: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100A18FTG

APTM100A18FTG

Descriere: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100DA18T1G

APTM100DA18T1G

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100A46FT1G

APTM100A46FT1G

Descriere: MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100DU18TG

APTM100DU18TG

Descriere: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100A23STG

APTM100A23STG

Descriere: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.