Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > APTM100H45STG
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
3634316APTM100H45STG ImagineMicrosemi

APTM100H45STG

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$140.13
10+
$130.968
25+
$126.388
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    APTM100H45STG
  • Producator / Marca
    Microsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1.APTM100H45STG.pdf
    2.APTM100H45STG.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SP4
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    540 mOhm @ 9A, 10V
  • Putere - Max
    357W
  • ambalare
    Bulk
  • Pachet / Caz
    SP4
  • Temperatura de Operare
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Chassis Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    32 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    4350pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    154nC @ 10V
  • Tipul FET
    4 N-Channel (H-Bridge)
  • FET Feature
    Standard
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    1000V (1kV)
  • descriere detaliata
    Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 18A 357W Chassis Mount SP4
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    18A

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „APTM100H45STG”.
APTM100H45SCTG

APTM100H45SCTG

Descriere: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100SK33T1G

APTM100SK33T1G

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 23A SP1

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100H18FG

APTM100H18FG

Descriere: MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100H46FT3G

APTM100H46FT3G

Descriere: MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100DUM90G

APTM100DUM90G

Descriere: MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100H35FTG

APTM100H35FTG

Descriere: MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100H80FT1G

APTM100H80FT1G

Descriere: MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100SK40T1G

APTM100SK40T1G

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 20A SP1

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100SK18TG

APTM100SK18TG

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 43A SP4

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100DU18TG

APTM100DU18TG

Descriere: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100DDA35T3G

APTM100DDA35T3G

Descriere: MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100DSK35T3G

APTM100DSK35T3G

Descriere: MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100SKM90G

APTM100SKM90G

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 78A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100TA35SCTPG

APTM100TA35SCTPG

Descriere: MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6P

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100H45FT3G

APTM100H45FT3G

Descriere: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100U13SG

APTM100U13SG

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 65A J3

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100TA35FPG

APTM100TA35FPG

Descriere: MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100H35FT3G

APTM100H35FT3G

Descriere: MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100DAM90G

APTM100DAM90G

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 78A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM100TDU35PG

APTM100TDU35PG

Descriere: MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.