Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > DMJ7N70SK3-13
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
5963356DMJ7N70SK3-13 ImagineDiodes Incorporated

DMJ7N70SK3-13

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$1.87
10+
$1.652
100+
$1.306
500+
$1.013
1000+
$0.80
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMJ7N70SK3-13
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 700V 3.9A
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Conține plumb / RoHS Compliant
  • Foi de date
    DMJ7N70SK3-13.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-252
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.25 Ohm @ 2.5A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    28W (Tc)
  • ambalare
    Original-Reel®
  • Pachet / Caz
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Alte nume
    DMJ7N70SK3-13DIDKR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    24 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    351pF @ 50V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    13.9nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    700V
  • descriere detaliata
    N-Channel 700V 3.9A (Tc) 28W (Tc) Surface Mount TO-252
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    3.9A (Tc)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMJ7N70SK3-13”.
DMJ2833-000

DMJ2833-000

Descriere: DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN

Producători: Skyworks Solutions, Inc.
In stoc
RFQ
IXFC96N15P

IXFC96N15P

Descriere: MOSFET N-CH 150V 42A ISPLUS220

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3

Descriere: MOSFET N-CH TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3

Descriere: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMJ70H601SV3

DMJ70H601SV3

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMJ70H1D4SV3

DMJ70H1D4SV3

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMJ70H1D3SI3

DMJ70H1D3SI3

Descriere: MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
STL4LN80K5

STL4LN80K5

Descriere: MOSFET N-CH 800V 3A POWERFLAT

Producători: STMicroelectronics
In stoc
RFQ
DMJ70H1D3SH3

DMJ70H1D3SH3

Descriere: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMJ70H600SH3

DMJ70H600SH3

Descriere: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
IXTQ69N30P

IXTQ69N30P

Descriere: MOSFET N-CH 300V 69A TO-3P

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IPB09N03LAT

IPB09N03LAT

Descriere: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
DMJ70H1D5SV3

DMJ70H1D5SV3

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMJT9435-13

DMJT9435-13

Descriere: TRANS PNP 30V 3A SOT-223

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
IXFP16N50P

IXFP16N50P

Descriere: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
DMJ70H1D0SV3

DMJ70H1D0SV3

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
SIHP065N60E-GE3

SIHP065N60E-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
VN10LP

VN10LP

Descriere: MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMJ70H601SK3-13

DMJ70H601SK3-13

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
IXTA182N055T7

IXTA182N055T7

Descriere: MOSFET N-CH 55V 182A TO-263-7

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.