Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > DMJ70H600SH3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1185594

DMJ70H600SH3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
75+
$1.667
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMJ70H600SH3
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Conține plumb / RoHS Compliant
  • Foi de date
    DMJ70H600SH3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-251
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    600 mOhm @ 2.4A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    113W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-251-3, IPak, Short Leads
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Producător Standard Timp de plumb
    8 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    643pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    18.2nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    700V
  • descriere detaliata
    N-Channel 700V 11A (Tc) 113W (Tc) Through Hole TO-251
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    11A (Tc)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMJ70H600SH3”.
DMJ70H601SV3

DMJ70H601SV3

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3

Descriere: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
IXTK40P50P

IXTK40P50P

Descriere: MOSFET P-CH 500V 40A TO-264

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
DMJ70H1D3SI3

DMJ70H1D3SI3

Descriere: MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMP4050SSS-13

DMP4050SSS-13

Descriere: MOSFET P-CH 40V 4.4A 8SO

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMJT9435-13

DMJT9435-13

Descriere: TRANS PNP 30V 3A SOT-223

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3

Descriere: MOSFET N-CH TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZVP2120ASTZ

ZVP2120ASTZ

Descriere: MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
SQD90P04-9M4L_GE3

SQD90P04-9M4L_GE3

Descriere: MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
APT12M80B

APT12M80B

Descriere: MOSFET N-CH 800V 13A TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
DMJ70H601SK3-13

DMJ70H601SK3-13

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMJ2833-000

DMJ2833-000

Descriere: DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN

Producători: Skyworks Solutions, Inc.
In stoc
RFQ
DMJ70H1D3SH3

DMJ70H1D3SH3

Descriere: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMJ70H1D0SV3

DMJ70H1D0SV3

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMJ70H1D4SV3

DMJ70H1D4SV3

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMJ7N70SK3-13

DMJ7N70SK3-13

Descriere: MOSFET N-CH 700V 3.9A

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
IPS04N03LB G

IPS04N03LB G

Descriere: MOSFET N-CH 30V 50A IPAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
FDS7066N7

FDS7066N7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 23A 8-SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDMS2504SDC

FDMS2504SDC

Descriere: MOSFET N-CH 25V 42A POWER56

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
DMJ70H1D5SV3

DMJ70H1D5SV3

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.