Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > DMJ70H1D0SV3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
6323433

DMJ70H1D0SV3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
75+
$1.24
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMJ70H1D0SV3
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Conține plumb / RoHS Compliant
  • Foi de date
    DMJ70H1D0SV3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-251
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1 Ohm @ 1.5A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    104W (Tc)
  • Pachet / Caz
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Producător Standard Timp de plumb
    8 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    420pF @ 50V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    12.8nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    700V
  • descriere detaliata
    N-Channel 700V 6A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-251
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    6A (Tc)

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26

Cartea grafică NVIDIA RTX 5090 are o suprafață GPU de 74...

2024/11/25

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMJ70H1D0SV3”.
DMJT9435-13

DMJT9435-13

Descriere: TRANS PNP 30V 3A SOT-223

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMJ70H601SV3

DMJ70H601SV3

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
NDD60N360U1-1G

NDD60N360U1-1G

Descriere: MOSFET N-CH 600V 114A IPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
GP1M008A025PG

GP1M008A025PG

Descriere: MOSFET N-CH 250V 8A IPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
DMJ70H601SK3-13

DMJ70H601SK3-13

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
SIR416DP-T1-GE3

SIR416DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
DMJ70H1D5SV3

DMJ70H1D5SV3

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3

Descriere: MOSFET N-CH TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMJ70H1D3SI3

DMJ70H1D3SI3

Descriere: MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
IRFI9Z14G

IRFI9Z14G

Descriere: MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220FP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
BSP300L6327HUSA1

BSP300L6327HUSA1

Descriere: MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
STE40NK90ZD

STE40NK90ZD

Descriere: MOSFET N-CH 900V 40A ISOTOP

Producători: STMicroelectronics
In stoc
RFQ
DMJ7N70SK3-13

DMJ7N70SK3-13

Descriere: MOSFET N-CH 700V 3.9A

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMJ2833-000

DMJ2833-000

Descriere: DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN

Producători: Skyworks Solutions, Inc.
In stoc
RFQ
DMJ70H1D3SH3

DMJ70H1D3SH3

Descriere: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMJ70H600SH3

DMJ70H600SH3

Descriere: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
SSM3J325F,LF

SSM3J325F,LF

Descriere: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3

Descriere: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMJ70H1D4SV3

DMJ70H1D4SV3

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
US5U29TR

US5U29TR

Descriere: MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.