Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > DMJ70H900HJ3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
6851335

DMJ70H900HJ3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
75+
$1.513
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMJ70H900HJ3
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Conține plumb / RoHS Compliant
  • Foi de date
    DMJ70H900HJ3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-251
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    900 mOhm @ 1.5A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    68W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-251-3, IPak, Short Leads
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Producător Standard Timp de plumb
    11 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    603pF @ 50V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    18.4nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    700V
  • descriere detaliata
    N-Channel 700V 7A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-251
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    7A (Tc)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMJ70H900HJ3”.
DMJ70H601SK3-13

DMJ70H601SK3-13

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
FDT86246L

FDT86246L

Descriere: MOSFET N-CH 150V 2A SOT-223

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
DMJ70H1D5SV3

DMJ70H1D5SV3

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMJ70H601SV3

DMJ70H601SV3

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMJ2833-000

DMJ2833-000

Descriere: DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN

Producători: Skyworks Solutions, Inc.
In stoc
RFQ
DMJ7N70SK3-13

DMJ7N70SK3-13

Descriere: MOSFET N-CH 700V 3.9A

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
BSS123 E6433

BSS123 E6433

Descriere: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IRF2804STRL7PP

IRF2804STRL7PP

Descriere: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
DMJ70H1D3SI3

DMJ70H1D3SI3

Descriere: MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZDX080N50

ZDX080N50

Descriere: MOSFET N-CH 500V 8A TO220FM

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
CPC3960ZTR

CPC3960ZTR

Descriere: MOSFET N-CH 600V SOT-223

Producători: IXYS Integrated Circuits Division
In stoc
RFQ
FDMB506P

FDMB506P

Descriere: MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MICROFET

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
SIR874DP-T1-GE3

SIR874DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
DMJ70H1D4SV3

DMJ70H1D4SV3

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3

Descriere: MOSFET N-CH TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMJ70H1D3SH3

DMJ70H1D3SH3

Descriere: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMJ70H600SH3

DMJ70H600SH3

Descriere: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMJT9435-13

DMJT9435-13

Descriere: TRANS PNP 30V 3A SOT-223

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN63D1L-7

DMN63D1L-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMJ70H1D0SV3

DMJ70H1D0SV3

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.