Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Diode - Redresoare - Single > R6021435ESYA
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2102454

R6021435ESYA

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
30+
$86.937
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    R6021435ESYA
  • Producator / Marca
    Powerex, Inc.
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    R6021435ESYA.pdf
  • Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă
    1.5V @ 800A
  • Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max)
    1400V
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    DO-205AB, DO-9
  • Viteză
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Timp de recuperare invers (trr)
    2µs
  • ambalare
    Bulk
  • Pachet / Caz
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • Temperatura de funcționare - Junction
    -45°C ~ 150°C
  • Tipul de montare
    Chassis, Stud Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    12 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipul de diodă
    Standard
  • descriere detaliata
    Diode Standard 1400V 350A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • Curenți - Scurgeri inverse @ Vr
    50mA @ 1400V
  • Curent - Mediu rectificat (Io)
    350A
  • Capacitate @ Vr, F
    -

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „R6021435ESYA”.
R6021425HSYA

R6021425HSYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6020KNX

R6020KNX

Descriere: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6021222PSYA

R6021222PSYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6021225HSYA

R6021225HSYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6024KNX

R6024KNX

Descriere: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6021035ESYA

R6021035ESYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6021022PSYA

R6021022PSYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6024KNZ1C9

R6024KNZ1C9

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6024ENZC8

R6024ENZC8

Descriere: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6024KNJTL

R6024KNJTL

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6024KNZC8

R6024KNZC8

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO3PF

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6021235ESYA

R6021235ESYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6020KNZC8

R6020KNZC8

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO3PF

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6020KNZ1C9

R6020KNZ1C9

Descriere: NCH 600V 20A POWER MOSFET

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6024ENX

R6024ENX

Descriere: MOSFET N-CH 600V 24A TO220

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6025ANZC8

R6025ANZC8

Descriere: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6024ENJTL

R6024ENJTL

Descriere: MOSFET N-CH 600V 24A LPT

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6024ENZ1C9

R6024ENZ1C9

Descriere: MOSFET N-CH 600V 24A TO247

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6021025HSYA

R6021025HSYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6025FNZ1C9

R6025FNZ1C9

Descriere: MOSFET N-CH 600V 25A TO247

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.