Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > R6024KNJTL
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1418293R6024KNJTL ImagineLAPIS Semiconductor

R6024KNJTL

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$4.15
10+
$3.702
100+
$3.035
500+
$2.458
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    R6024KNJTL
  • Producator / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1.R6024KNJTL.pdf
    2.R6024KNJTL.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    LPTS
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    165 mOhm @ 11.3A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    245W (Tc)
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Alte nume
    R6024KNJTLCT
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    17 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    2000pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    45nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    600V
  • descriere detaliata
    N-Channel 600V 24A (Tc) 245W (Tc) Surface Mount LPTS
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    24A (Tc)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „R6024KNJTL”.
R6021222PSYA

R6021222PSYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6024ENJTL

R6024ENJTL

Descriere: MOSFET N-CH 600V 24A LPT

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6025FNZ1C9

R6025FNZ1C9

Descriere: MOSFET N-CH 600V 25A TO247

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6021425HSYA

R6021425HSYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6021225HSYA

R6021225HSYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6021435ESYA

R6021435ESYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6024ENX

R6024ENX

Descriere: MOSFET N-CH 600V 24A TO220

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6024ENZC8

R6024ENZC8

Descriere: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6025ANZC8

R6025ANZC8

Descriere: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6030225HSYA

R6030225HSYA

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6024KNZC8

R6024KNZC8

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO3PF

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6021235ESYA

R6021235ESYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6024KNZ1C9

R6024KNZ1C9

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6021035ESYA

R6021035ESYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6030422PSYA

R6030422PSYA

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6025FNZC8

R6025FNZC8

Descriere: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6030222PSYA

R6030222PSYA

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6030235ESYA

R6030235ESYA

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6024ENZ1C9

R6024ENZ1C9

Descriere: MOSFET N-CH 600V 24A TO247

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6024KNX

R6024KNX

Descriere: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.