Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > R6025ANZC8
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1351542R6025ANZC8 ImagineLAPIS Semiconductor

R6025ANZC8

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$6.47
10+
$5.779
100+
$4.739
500+
$3.837
1000+
$3.236
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    R6025ANZC8
  • Producator / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    R6025ANZC8.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-3PF
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    150 mOhm @ 12.5A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    150W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-3P-3 Full Pack
  • Temperatura de Operare
    150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    3250pF @ 10V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    88nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    600V
  • descriere detaliata
    N-Channel 600V 25A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-3PF
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    25A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „R6025ANZC8”.
R6025FNZ1C9

R6025FNZ1C9

Descriere: MOSFET N-CH 600V 25A TO247

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6024KNZC8

R6024KNZC8

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO3PF

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6030625HSYA

R6030625HSYA

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6024KNZ1C9

R6024KNZ1C9

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6021435ESYA

R6021435ESYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6021425HSYA

R6021425HSYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6030622PSYA

R6030622PSYA

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6030425HSYA

R6030425HSYA

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6024ENJTL

R6024ENJTL

Descriere: MOSFET N-CH 600V 24A LPT

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6025FNZC8

R6025FNZC8

Descriere: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6024KNX

R6024KNX

Descriere: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6030225HSYA

R6030225HSYA

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6024ENZ1C9

R6024ENZ1C9

Descriere: MOSFET N-CH 600V 24A TO247

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6030435ESYA

R6030435ESYA

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6030222PSYA

R6030222PSYA

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6030422PSYA

R6030422PSYA

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6030235ESYA

R6030235ESYA

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6024ENZC8

R6024ENZC8

Descriere: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6024ENX

R6024ENX

Descriere: MOSFET N-CH 600V 24A TO220

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6024KNJTL

R6024KNJTL

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.