Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Dioduri - Redresoare - Arrays > APT10SCD65KCT
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
546018

APT10SCD65KCT

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    APT10SCD65KCT
  • Producator / Marca
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    DIODE SILICON 650V 17A TO220
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
  • Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă
    1.8V @ 10A
  • Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max)
    650V
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-220
  • Viteză
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    -
  • Timp de recuperare invers (trr)
    0ns
  • ambalare
    Bulk
  • Pachet / Caz
    TO-220-3
  • Temperatura de funcționare - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipul de diodă
    Silicon Carbide Schottky
  • Configurarea diodelor
    1 Pair Common Cathode
  • descriere detaliata
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 650V 17A Through Hole TO-220-3
  • Curenți - Scurgeri inverse @ Vr
    200µA @ 650V
  • Curent - medie rectificată (Io) (per diodă)
    17A
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Descriere: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Descriere: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Producători: Microsemi
In stoc
APT1201R4BFLLG

APT1201R4BFLLG

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Descriere: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Producători: Microsemi
In stoc
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

Descriere: IGBT 600V 41A 187W TO247

Producători: Microsemi
In stoc
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Descriere: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Producători: Microsemi
In stoc
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Descriere: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Producători: Microsemi
In stoc
APT11F80S

APT11F80S

Descriere: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Producători: Microsemi
In stoc
APT11F80B

APT11F80B

Descriere: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Descriere: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Producători: Microsemi
In stoc
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Descriere: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Descriere: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Producători: Microsemi
In stoc
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Descriere: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Producători: Microsemi
In stoc
APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

Descriere: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

Producători: Microsemi
In stoc
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Descriere: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Producători: Microsemi
In stoc
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Descriere: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Producători: Microsemi
In stoc
APT12031JFLL

APT12031JFLL

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227

Producători: Microsemi
In stoc
APT1204R7BFLLG

APT1204R7BFLLG

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

Descriere: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Descriere: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Producători: Microsemi
In stoc

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși