Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Dioduri - Redresoare - Arrays > APT10SCD120BCT
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
862369APT10SCD120BCT ImagineMicrosemi

APT10SCD120BCT

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    APT10SCD120BCT
  • Producator / Marca
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
  • Modelul ECAD
  • Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă
    1.8V @ 10A
  • Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max)
    1200V
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-247
  • Viteză
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    -
  • Timp de recuperare invers (trr)
    0ns
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-247-3
  • Temperatura de funcționare - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipul de diodă
    Silicon Carbide Schottky
  • Configurarea diodelor
    1 Pair Common Cathode
  • descriere detaliata
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200V 36A (DC) Through Hole TO-247-3
  • Curenți - Scurgeri inverse @ Vr
    200µA @ 1200V
  • Curent - medie rectificată (Io) (per diodă)
    36A (DC)
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Descriere: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Descriere: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Producători: Microsemi
In stoc
APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

Descriere: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Descriere: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Producători: Microsemi
In stoc
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Descriere: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Descriere: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Producători: Microsemi
In stoc
APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

Descriere: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

Producători: Microsemi
In stoc
APT11F80S

APT11F80S

Descriere: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Producători: Microsemi
In stoc
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Descriere: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Producători: Microsemi
In stoc
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Descriere: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Producători: Microsemi
In stoc
APT102GA60L

APT102GA60L

Descriere: IGBT 600V 183A 780W TO264

Producători: Microsemi
In stoc
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Descriere: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Producători: Microsemi
In stoc
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Descriere: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Producători: Microsemi
In stoc
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Descriere: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Descriere: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Producători: Microsemi
In stoc
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

Descriere: IGBT 600V 41A 187W TO247

Producători: Microsemi
In stoc
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Descriere: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Producători: Microsemi
In stoc
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Descriere: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Producători: Microsemi
In stoc
APT11F80B

APT11F80B

Descriere: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Descriere: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Producători: Microsemi
In stoc

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși
Loading...