Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > APT106N60B2C6
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1016080APT106N60B2C6 ImagineMicrosemi

APT106N60B2C6

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$20.26
30+
$17.035
120+
$15.654
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    APT106N60B2C6
  • Producator / Marca
    Microsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 600V 106A TO-247
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    APT106N60B2C6.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    3.5V @ 3.4mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    T-MAX™ [B2]
  • Serie
    CoolMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    35 mOhm @ 53A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    833W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-247-3 Variant
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    18 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    8390pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    308nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    600V
  • descriere detaliata
    N-Channel 600V 106A (Tc) 833W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    106A (Tc)

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „APT106N60B2C6”.
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT100GT60JR

APT100GT60JR

Descriere: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Descriere: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Descriere: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT100S20BG

APT100S20BG

Descriere: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Descriere: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT102GA60L

APT102GA60L

Descriere: IGBT 600V 183A 780W TO264

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Descriere: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Descriere: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Descriere: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Descriere: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Descriere: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT100M50J

APT100M50J

Descriere: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Descriere: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Descriere: IGBT 600V 183A 780W TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Descriere: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

Descriere: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Descriere: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Descriere: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Descriere: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.