Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > APT1201R4BFLLG
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
6742798APT1201R4BFLLG ImagineMicrosemi

APT1201R4BFLLG

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
30+
$22.015
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    APT1201R4BFLLG
  • Producator / Marca
    Microsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1.APT1201R4BFLLG.pdf
    2.APT1201R4BFLLG.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-247 [B]
  • Serie
    POWER MOS 7®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.5 Ohm @ 4.5A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    300W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-247-3
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    28 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    2030pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    75nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    1200V
  • descriere detaliata
    N-Channel 1200V 9A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    9A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „APT1201R4BFLLG”.
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Descriere: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT12067JLL

APT12067JLL

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 17A SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT12057JLL

APT12057JLL

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT1204R7KFLLG

APT1204R7KFLLG

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT12031JFLL

APT12031JFLL

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Descriere: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT12057B2FLLG

APT12057B2FLLG

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
RFQ
APT12067B2FLLG

APT12067B2FLLG

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
RFQ
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Descriere: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Descriere: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT11F80B

APT11F80B

Descriere: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT12067B2LLG

APT12067B2LLG

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT11F80S

APT11F80S

Descriere: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

Descriere: IGBT 600V 41A 187W TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

Descriere: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

Descriere: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT12057B2LLG

APT12057B2LLG

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT12057LFLLG

APT12057LFLLG

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Descriere: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT1204R7BFLLG

APT1204R7BFLLG

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.