Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > IPB08CN10N G
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
5177735IPB08CN10N G ImagineInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB08CN10N G

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    IPB08CN10N G
  • Producator / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    IPB08CN10N G.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 130µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    D²PAK (TO-263AB)
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.2 mOhm @ 95A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    167W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Alte nume
    IPB08CN10N G-ND
    IPB08CN10NG
    SP000096448
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    6660pF @ 50V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    100nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    100V
  • descriere detaliata
    N-Channel 100V 95A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    95A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „IPB08CN10N G”.
IPB096N03LGATMA1

IPB096N03LGATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB085N06L G

IPB085N06L G

Descriere: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB080N06N G

IPB080N06N G

Descriere: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB072N15N3GE8187ATMA1

IPB072N15N3GE8187ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB072N15N3GATMA1

IPB072N15N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB09N03LA

IPB09N03LA

Descriere: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB073N15N5ATMA1

IPB073N15N5ATMA1

Descriere: MV POWER MOS

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB100N04S204ATMA4

IPB100N04S204ATMA4

Descriere: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB080N03LGATMA1

IPB080N03LGATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB081N06L3GATMA1

IPB081N06L3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB093N04LGATMA1

IPB093N04LGATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB097N08N3 G

IPB097N08N3 G

Descriere: MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB08CNE8N G

IPB08CNE8N G

Descriere: MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB083N10N3GATMA1

IPB083N10N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB09N03LA G

IPB09N03LA G

Descriere: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB09N03LAT

IPB09N03LAT

Descriere: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB075N04LGATMA1

IPB075N04LGATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB083N15N5LFATMA1

IPB083N15N5LFATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB100N04S204ATMA1

IPB100N04S204ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB090N06N3GATMA1

IPB090N06N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.