Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > IPB072N15N3GE8187ATMA1
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2257250IPB072N15N3GE8187ATMA1 ImagineInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB072N15N3GE8187ATMA1

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    IPB072N15N3GE8187ATMA1
  • Producator / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    IPB072N15N3GE8187ATMA1.pdf
  • Modelul ECAD
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 270µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    PG-TO263-3-2
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.2 mOhm @ 100A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    300W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Alte nume
    IPB072N15N3 G E8187
    IPB072N15N3 G E8187-ND
    IPB072N15N3 G E8187TR-ND
    IPB072N15N3GE8187ATMA1TR
    SP000938816
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    5470pF @ 75V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    93nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    8V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    150V
  • descriere detaliata
    N-Channel 150V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

ABLIC and Infineon's innovative IC technology will driv...

2025/01/20

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „IPB072N15N3GE8187ATMA1”.
IPB083N10N3GATMA1

IPB083N10N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB06N03LA G

IPB06N03LA G

Descriere: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB06N03LB

IPB06N03LB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB073N15N5ATMA1

IPB073N15N5ATMA1

Descriere: MV POWER MOS

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB06N03LB G

IPB06N03LB G

Descriere: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB085N06L G

IPB085N06L G

Descriere: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB067N08N3GATMA1

IPB067N08N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB083N15N5LFATMA1

IPB083N15N5LFATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB06CN10N G

IPB06CN10N G

Descriere: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB081N06L3GATMA1

IPB081N06L3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB08CN10N G

IPB08CN10N G

Descriere: MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB06N03LA

IPB06N03LA

Descriere: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB080N06N G

IPB080N06N G

Descriere: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB065N15N3GE8187ATMA1

IPB065N15N3GE8187ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB080N03LGATMA1

IPB080N03LGATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB08CNE8N G

IPB08CNE8N G

Descriere: MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB072N15N3GATMA1

IPB072N15N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB070N06L G

IPB070N06L G

Descriere: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB06N03LAT

IPB06N03LAT

Descriere: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB075N04LGATMA1

IPB075N04LGATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.