Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > IPB083N10N3GATMA1
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
934803IPB083N10N3GATMA1 ImagineInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB083N10N3GATMA1

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1000+
$0.776
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    IPB083N10N3GATMA1
  • Producator / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    IPB083N10N3GATMA1.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    3.5V @ 75µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    D²PAK (TO-263AB)
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.3 mOhm @ 73A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    125W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Alte nume
    IPB083N10N3 G
    IPB083N10N3 G-ND
    IPB083N10N3 GTR-ND
    IPB083N10N3G
    IPB083N10N3GATMA1TR
    SP000458812
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    3980pF @ 50V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    55nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    6V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    100V
  • descriere detaliata
    N-Channel 100V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „IPB083N10N3GATMA1”.
IPB073N15N5ATMA1

IPB073N15N5ATMA1

Descriere: MV POWER MOS

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB093N04LGATMA1

IPB093N04LGATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB085N06L G

IPB085N06L G

Descriere: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB097N08N3 G

IPB097N08N3 G

Descriere: MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB080N06N G

IPB080N06N G

Descriere: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB072N15N3GE8187ATMA1

IPB072N15N3GE8187ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB08CNE8N G

IPB08CNE8N G

Descriere: MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB09N03LA G

IPB09N03LA G

Descriere: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB06N03LB

IPB06N03LB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB081N06L3GATMA1

IPB081N06L3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB083N15N5LFATMA1

IPB083N15N5LFATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB090N06N3GATMA1

IPB090N06N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB09N03LA

IPB09N03LA

Descriere: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB070N06L G

IPB070N06L G

Descriere: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB075N04LGATMA1

IPB075N04LGATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB080N03LGATMA1

IPB080N03LGATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB096N03LGATMA1

IPB096N03LGATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB08CN10N G

IPB08CN10N G

Descriere: MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB072N15N3GATMA1

IPB072N15N3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB06N03LB G

IPB06N03LB G

Descriere: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.