Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > IXTT2N300P3HV
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
63086IXTT2N300P3HV ImagineIXYS Corporation

IXTT2N300P3HV

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$42.55
30+
$36.168
120+
$33.615
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    IXTT2N300P3HV
  • Producator / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plumb fără scutire / RoHS Compliant
  • Foi de date
    IXTT2N300P3HV.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-268
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    21 Ohm @ 1A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    520W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 155°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    24 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free by exemption / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    1890pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    73nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    3000V
  • descriere detaliata
    N-Channel 3000V 2A (Tc) 520W (Tc) Surface Mount TO-268
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    2A (Tc)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „IXTT2N300P3HV”.
IXTT26N60P

IXTT26N60P

Descriere: MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT1N300P3HV

IXTT1N300P3HV

Descriere: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT1N100

IXTT1N100

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT30N60L2

IXTT30N60L2

Descriere: MOSFET N-CH 600V 30A TO-268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT34N65X2HV

IXTT34N65X2HV

Descriere: MOSFET N-CH

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT360N055T2

IXTT360N055T2

Descriere: MOSFET N-CH 55V 360A TO268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT30N50L

IXTT30N50L

Descriere: MOSFET N-CH 500V 30A TO-268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT26N50P

IXTT26N50P

Descriere: MOSFET N-CH 500V 26A TO-268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT1N250HV

IXTT1N250HV

Descriere: MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT2N170D2

IXTT2N170D2

Descriere: MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT1N450HV

IXTT1N450HV

Descriere: MOSFET N-CH 4500V 1A TO268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT36P10

IXTT36P10

Descriere: MOSFET P-CH 100V 36A TO-268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT3N200P3HV

IXTT3N200P3HV

Descriere: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT30N50L2

IXTT30N50L2

Descriere: MOSFET N-CH 500V 30A TO-268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT30N60P

IXTT30N60P

Descriere: MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT36N50P

IXTT36N50P

Descriere: MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT24P20

IXTT24P20

Descriere: MOSFET P-CH 200V 24A TO-268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT30N50P

IXTT30N50P

Descriere: MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT20N50D

IXTT20N50D

Descriere: MOSFET N-CH 500V 20A TO-268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT20P50P

IXTT20P50P

Descriere: MOSFET P-CH 500V 20A TO-268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.