Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > IXTT1N100
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2506179IXTT1N100 ImagineIXYS Corporation

IXTT1N100

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    IXTT1N100
  • Producator / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    IXTT1N100.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4.5V @ 25µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-268
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11 Ohm @ 1A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    60W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    480pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    1000V
  • descriere detaliata
    N-Channel 1000V 1.5A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-268
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    1.5A (Tc)

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „IXTT1N100”.
IXTT24P20

IXTT24P20

Descriere: MOSFET P-CH 200V 24A TO-268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT26N60P

IXTT26N60P

Descriere: MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT20N50D

IXTT20N50D

Descriere: MOSFET N-CH 500V 20A TO-268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT1N300P3HV

IXTT1N300P3HV

Descriere: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT1N450HV

IXTT1N450HV

Descriere: MOSFET N-CH 4500V 1A TO268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT16N20D2

IXTT16N20D2

Descriere: MOSFET N-CH 200V 16A TO-268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT16N50D2

IXTT16N50D2

Descriere: MOSFET N-CH 500V 16A TO-268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT1N250HV

IXTT1N250HV

Descriere: MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT16P20

IXTT16P20

Descriere: MOSFET P-CH 200V 16A TO-268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT2N300P3HV

IXTT2N300P3HV

Descriere: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT140N10P

IXTT140N10P

Descriere: MOSFET N-CH 100V 140A TO-268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT2N170D2

IXTT2N170D2

Descriere: MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT140P10T

IXTT140P10T

Descriere: MOSFET P-CH 100V 140A TO-268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT20P50P

IXTT20P50P

Descriere: MOSFET P-CH 500V 20A TO-268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT12N150HV

IXTT12N150HV

Descriere: MOSFET N-CH 1.5KV 12A TO268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT16N10D2

IXTT16N10D2

Descriere: MOSFET N-CH 100V 16A TO-268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT26N50P

IXTT26N50P

Descriere: MOSFET N-CH 500V 26A TO-268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT16P60P

IXTT16P60P

Descriere: MOSFET P-CH 600V 16A TO-268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT170N10P

IXTT170N10P

Descriere: MOSFET N-CH 100V 170A TO-268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT12N150

IXTT12N150

Descriere: MOSFET N-CH 1500V 12A TO-268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.