Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > IXTT360N055T2
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
3769612IXTT360N055T2 ImagineIXYS Corporation

IXTT360N055T2

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
30+
$8.723
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    IXTT360N055T2
  • Producator / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 55V 360A TO268
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    IXTT360N055T2.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-268
  • Serie
    TrenchT2™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.4 mOhm @ 100A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    935W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    24 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    20000pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    330nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    55V
  • descriere detaliata
    N-Channel 55V 360A (Tc) 935W (Tc) Surface Mount TO-268
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    360A (Tc)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „IXTT360N055T2”.
IXTT30N60L2

IXTT30N60L2

Descriere: MOSFET N-CH 600V 30A TO-268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT30N60P

IXTT30N60P

Descriere: MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT440N055T2

IXTT440N055T2

Descriere: MOSFET N-CH 55V 440A TO-268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT3N200P3HV

IXTT3N200P3HV

Descriere: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT40N50L2

IXTT40N50L2

Descriere: MOSFET N-CH 500V 40A TO-268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT2N170D2

IXTT2N170D2

Descriere: MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT30N50L

IXTT30N50L

Descriere: MOSFET N-CH 500V 30A TO-268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT36P10

IXTT36P10

Descriere: MOSFET P-CH 100V 36A TO-268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT26N60P

IXTT26N60P

Descriere: MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT48P20P

IXTT48P20P

Descriere: MOSFET P-CH 200V 48A TO-268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT500N04T2

IXTT500N04T2

Descriere: MOSFET N-CH 40V 500A TO-268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT4N150HV

IXTT4N150HV

Descriere: MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT440N04T4HV

IXTT440N04T4HV

Descriere: 40V/440A TRENCHT4 PWR MOSFET TO-

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT2N300P3HV

IXTT2N300P3HV

Descriere: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT26N50P

IXTT26N50P

Descriere: MOSFET N-CH 500V 26A TO-268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT50P085

IXTT50P085

Descriere: MOSFET P-CH 85V 50A TO-268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT30N50L2

IXTT30N50L2

Descriere: MOSFET N-CH 500V 30A TO-268

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT36N50P

IXTT36N50P

Descriere: MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT34N65X2HV

IXTT34N65X2HV

Descriere: MOSFET N-CH

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXTT30N50P

IXTT30N50P

Descriere: MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.