Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > IXFN32N60
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
6328158IXFN32N60 ImagineIXYS Corporation

IXFN32N60

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
10+
$32.616
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    IXFN32N60
  • Producator / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    IXFN32N60.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4.5V @ 8mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SOT-227B
  • Serie
    HiPerFET™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    250 mOhm @ 500mA, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    520AW (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Chassis Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    9000pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    325nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    600V
  • descriere detaliata
    N-Channel 600V 32A (Tc) 520AW (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    32A (Tc)

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „IXFN32N60”.
IXFN32N100P

IXFN32N100P

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN34N100

IXFN34N100

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN340N07

IXFN340N07

Descriere: MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN32N80P

IXFN32N80P

Descriere: MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B

Producători: IXYS
In stoc
RFQ
IXFN280N07

IXFN280N07

Descriere: MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN36N60

IXFN36N60

Descriere: MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN32N120P

IXFN32N120P

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN36N100

IXFN36N100

Descriere: MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN32N100Q3

IXFN32N100Q3

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN30N120P

IXFN30N120P

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN300N10P

IXFN300N10P

Descriere: MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN36N110P

IXFN36N110P

Descriere: MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN30N110P

IXFN30N110P

Descriere: MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN300N20X3

IXFN300N20X3

Descriere: 200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN360N10T

IXFN360N10T

Descriere: MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN320N17T2

IXFN320N17T2

Descriere: MOSFET N-CH 170V 260A SOT227

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN280N085

IXFN280N085

Descriere: MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN360N15T2

IXFN360N15T2

Descriere: MOSFET N-CH 150V 310A SOT227

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN340N06

IXFN340N06

Descriere: MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN34N80

IXFN34N80

Descriere: MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.