Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > IXFN30N110P
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2943928IXFN30N110P ImagineIXYS Corporation

IXFN30N110P

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
10+
$38.233
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    IXFN30N110P
  • Producator / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    IXFN30N110P.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    6.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SOT-227B
  • Serie
    Polar™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    360 mOhm @ 15A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    695W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Chassis Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    13600pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    235nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    1100V
  • descriere detaliata
    N-Channel 1100V 25A (Tc) 695W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    25A (Tc)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „IXFN30N110P”.
IXFN26N120P

IXFN26N120P

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN30N120P

IXFN30N120P

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN34N100

IXFN34N100

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN27N80

IXFN27N80

Descriere: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN32N60

IXFN32N60

Descriere: MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN32N120P

IXFN32N120P

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN300N20X3

IXFN300N20X3

Descriere: 200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN32N80P

IXFN32N80P

Descriere: MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B

Producători: IXYS
In stoc
RFQ
IXFN280N07

IXFN280N07

Descriere: MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN26N90

IXFN26N90

Descriere: MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN340N06

IXFN340N06

Descriere: MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN280N085

IXFN280N085

Descriere: MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN32N100Q3

IXFN32N100Q3

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN26N100P

IXFN26N100P

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN300N10P

IXFN300N10P

Descriere: MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN320N17T2

IXFN320N17T2

Descriere: MOSFET N-CH 170V 260A SOT227

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN27N80Q

IXFN27N80Q

Descriere: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN260N17T

IXFN260N17T

Descriere: MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN340N07

IXFN340N07

Descriere: MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN32N100P

IXFN32N100P

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.