Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > IXFN300N10P
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
3136294IXFN300N10P ImagineIXYS Corporation

IXFN300N10P

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
10+
$32.19
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    IXFN300N10P
  • Producator / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    IXFN300N10P.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    5V @ 8mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SOT-227B
  • Serie
    Polar™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.5 mOhm @ 50A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    1070W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Chassis Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    24 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    23000pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    279nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    100V
  • descriere detaliata
    N-Channel 100V 295A (Tc) 1070W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    295A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „IXFN300N10P”.
IXFN26N100P

IXFN26N100P

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN30N110P

IXFN30N110P

Descriere: MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN280N085

IXFN280N085

Descriere: MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN24N90Q

IXFN24N90Q

Descriere: MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN280N07

IXFN280N07

Descriere: MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN27N80

IXFN27N80

Descriere: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN27N80Q

IXFN27N80Q

Descriere: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN260N17T

IXFN260N17T

Descriere: MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN26N120P

IXFN26N120P

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN26N90

IXFN26N90

Descriere: MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN32N120P

IXFN32N120P

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN30N120P

IXFN30N120P

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN25N90

IXFN25N90

Descriere: MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN300N20X3

IXFN300N20X3

Descriere: 200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN32N80P

IXFN32N80P

Descriere: MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B

Producători: IXYS
In stoc
RFQ
IXFN320N17T2

IXFN320N17T2

Descriere: MOSFET N-CH 170V 260A SOT227

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN340N06

IXFN340N06

Descriere: MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN32N60

IXFN32N60

Descriere: MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN32N100Q3

IXFN32N100Q3

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFN32N100P

IXFN32N100P

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.