Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > ZXMN10A08GTA
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1943083ZXMN10A08GTA ImagineDiodes Incorporated

ZXMN10A08GTA

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1000+
$0.294
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    ZXMN10A08GTA
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Conține plumb / RoHS Compliant
  • Foi de date
    ZXMN10A08GTA.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SOT-223
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    250 mOhm @ 3.2A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    2W (Ta)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-261-4, TO-261AA
  • Alte nume
    ZXMN10A08G
    ZXMN10A08GTR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    20 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    405pF @ 50V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    7.7nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    6V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    100V
  • descriere detaliata
    N-Channel 100V 2A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    2A (Ta)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „ZXMN10A08GTA”.
ZXMN10A07ZTA

ZXMN10A07ZTA

Descriere: MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10A07FTC

ZXMN10A07FTC

Descriere: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10A25GTA

ZXMN10A25GTA

Descriere: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10B08E6TA

ZXMN10B08E6TA

Descriere: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10A11GTC

ZXMN10A11GTC

Descriere: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10B08E6TC

ZXMN10B08E6TC

Descriere: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10A07FTA

ZXMN10A07FTA

Descriere: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN0545G4TA

ZXMN0545G4TA

Descriere: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10A11KTC

ZXMN10A11KTC

Descriere: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMHN6A07T8TA

ZXMHN6A07T8TA

Descriere: MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10A08DN8TC

ZXMN10A08DN8TC

Descriere: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10A09KTC

ZXMN10A09KTC

Descriere: MOSFET N-CH 100V 5A DPAK

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN0545FFTA

ZXMN0545FFTA

Descriere: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10A11GTA

ZXMN10A11GTA

Descriere: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10A08E6TC

ZXMN10A08E6TC

Descriere: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10A25K

ZXMN10A25K

Descriere: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10A11K

ZXMN10A11K

Descriere: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10A08DN8TA

ZXMN10A08DN8TA

Descriere: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10A25KTC

ZXMN10A25KTC

Descriere: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10A08E6TA

ZXMN10A08E6TA

Descriere: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.