Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > ZXMN10A11GTA
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2441081ZXMN10A11GTA ImagineDiodes Incorporated

ZXMN10A11GTA

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1000+
$0.34
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    ZXMN10A11GTA
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Conține plumb / RoHS Compliant
  • Foi de date
    ZXMN10A11GTA.pdf
  • Modelul ECAD
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SOT-223
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    350 mOhm @ 2.6A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    2W (Ta)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-261-4, TO-261AA
  • Alte nume
    ZXMN10A11GTR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    20 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    274pF @ 50V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    5.4nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    6V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    100V
  • descriere detaliata
    N-Channel 100V 1.7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    1.7A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „ZXMN10A11GTA”.
ZXMN10A25GTA

ZXMN10A25GTA

Descriere: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10A08DN8TC

ZXMN10A08DN8TC

Descriere: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10A11GTC

ZXMN10A11GTC

Descriere: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10A25K

ZXMN10A25K

Descriere: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10A07FTA

ZXMN10A07FTA

Descriere: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10A08E6TC

ZXMN10A08E6TC

Descriere: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10A09KTC

ZXMN10A09KTC

Descriere: MOSFET N-CH 100V 5A DPAK

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10A11K

ZXMN10A11K

Descriere: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10A11KTC

ZXMN10A11KTC

Descriere: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN15A27KTC

ZXMN15A27KTC

Descriere: MOSFET N-CH 150V 1.7A DPAK

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10A07FTC

ZXMN10A07FTC

Descriere: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10A25KTC

ZXMN10A25KTC

Descriere: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10A08GTA

ZXMN10A08GTA

Descriere: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN0545G4TA

ZXMN0545G4TA

Descriere: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10B08E6TC

ZXMN10B08E6TC

Descriere: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10A08E6TA

ZXMN10A08E6TA

Descriere: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10A07ZTA

ZXMN10A07ZTA

Descriere: MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN2069FTA

ZXMN2069FTA

Descriere: MOSFET N-CH SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10A08DN8TA

ZXMN10A08DN8TA

Descriere: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10B08E6TA

ZXMN10B08E6TA

Descriere: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.