Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > ZXMHN6A07T8TA
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
6601106ZXMHN6A07T8TA ImagineDiodes Incorporated

ZXMHN6A07T8TA

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$5.65
10+
$5.074
100+
$4.158
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    ZXMHN6A07T8TA
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    ZXMHN6A07T8TA.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SM8
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    300 mOhm @ 1.8A, 10V
  • Putere - Max
    1.6W
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    SOT-223-8
  • Alte nume
    1034-ZXMHN6A07T8CT
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    20 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    166pF @ 40V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    3.2nC @ 10V
  • Tipul FET
    4 N-Channel (H-Bridge)
  • FET Feature
    Logic Level Gate
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    60V
  • descriere detaliata
    Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 60V 1.4A 1.6W Surface Mount SM8
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    1.4A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „ZXMHN6A07T8TA”.
ZXMHC6A07T8TA

ZXMHC6A07T8TA

Descriere: MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMHC3F381N8TC

ZXMHC3F381N8TC

Descriere: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10A07ZTA

ZXMN10A07ZTA

Descriere: MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10A08E6TC

ZXMN10A08E6TC

Descriere: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMD65P03N8TA

ZXMD65P03N8TA

Descriere: MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMD65P02N8TC

ZXMD65P02N8TC

Descriere: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10A08DN8TA

ZXMN10A08DN8TA

Descriere: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMHC10A07N8TC

ZXMHC10A07N8TC

Descriere: MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10A07FTC

ZXMN10A07FTC

Descriere: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMHC10A07T8TA

ZXMHC10A07T8TA

Descriere: MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMHC6A07N8TC

ZXMHC6A07N8TC

Descriere: MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN0545FFTA

ZXMN0545FFTA

Descriere: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMHC3A01T8TA

ZXMHC3A01T8TA

Descriere: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10A08DN8TC

ZXMN10A08DN8TC

Descriere: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMHC3A01N8TC

ZXMHC3A01N8TC

Descriere: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10A08E6TA

ZXMN10A08E6TA

Descriere: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10A07FTA

ZXMN10A07FTA

Descriere: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMD65P02N8TA

ZXMD65P02N8TA

Descriere: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10A08GTA

ZXMN10A08GTA

Descriere: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN0545G4TA

ZXMN0545G4TA

Descriere: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.