Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Diode - Redresoare - Single > RS1G-13-F
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
6574209RS1G-13-F ImagineDiodes Incorporated

RS1G-13-F

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
5000+
$0.079
10000+
$0.07
25000+
$0.066
50000+
$0.059
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    RS1G-13-F
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    DIODE GEN PURP 400V 1A SMA
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Conține plumb / RoHS Compliant
  • Foi de date
    RS1G-13-F.pdf
  • Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă
    1.3V @ 1A
  • Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max)
    400V
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SMA
  • Viteză
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Timp de recuperare invers (trr)
    150ns
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    DO-214AC, SMA
  • Alte nume
    RS1G-FDITR
    RS1G13F
  • Temperatura de funcționare - Junction
    -65°C ~ 150°C
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    7 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Tipul de diodă
    Standard
  • descriere detaliata
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount SMA
  • Curenți - Scurgeri inverse @ Vr
    5µA @ 400V
  • Curent - Mediu rectificat (Io)
    1A
  • Capacitate @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz
  • Numărul părții de bază
    RS1G

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26

Cartea grafică NVIDIA RTX 5090 are o suprafață GPU de 74...

2024/11/25

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „RS1G-13-F”.
RS1G120MNTB

RS1G120MNTB

Descriere: MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1G M2G

RS1G M2G

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
RS1G

RS1G

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1E240GNTB

RS1E240GNTB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1E350BNTB

RS1E350BNTB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1G260MNTB

RS1G260MNTB

Descriere: MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1G R3G

RS1G R3G

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
RS1G-M3/5AT

RS1G-M3/5AT

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
RS1E300GNTB

RS1E300GNTB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1G300GNTB

RS1G300GNTB

Descriere: MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1G-E3/5AT

RS1G-E3/5AT

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
RS1G150MNTB

RS1G150MNTB

Descriere: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1G-13

RS1G-13

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
RS1G-M3/61T

RS1G-M3/61T

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
RS1G-E3/61T

RS1G-E3/61T

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
RS1E280GNTB

RS1E280GNTB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1E280BNTB

RS1E280BNTB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1E320GNTB

RS1E320GNTB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1G180MNTB

RS1G180MNTB

Descriere: MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1G/1

RS1G/1

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.