Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > RS1E280GNTB
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2975711RS1E280GNTB ImagineLAPIS Semiconductor

RS1E280GNTB

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
2500+
$0.404
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    RS1E280GNTB
  • Producator / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1.RS1E280GNTB.pdf
    2.RS1E280GNTB.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    8-HSOP
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.6 mOhm @ 28A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    3W (Ta), 31W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    8-PowerTDFN
  • Alte nume
    RS1E280GNTBTR
  • Temperatura de Operare
    150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    40 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    2300pF @ 15V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    36nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    N-Channel 30V 28A (Ta) 3W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    28A (Ta)

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26

Cartea grafică NVIDIA RTX 5090 are o suprafață GPU de 74...

2024/11/25

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „RS1E280GNTB”.
RS1E320GNTB

RS1E320GNTB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1E170GNTB

RS1E170GNTB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1DTR

RS1DTR

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

Producători: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
In stoc
RFQ
RS1G-E3/61T

RS1G-E3/61T

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1G-13

RS1G-13

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
RS1G

RS1G

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1G R3G

RS1G R3G

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
RS1G-13-F

RS1G-13-F

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1E240GNTB

RS1E240GNTB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1E280BNTB

RS1E280BNTB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1E180BNTB

RS1E180BNTB

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1G M2G

RS1G M2G

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1E150GNTB

RS1E150GNTB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1E350BNTB

RS1E350BNTB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1E130GNTB

RS1E130GNTB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1E300GNTB

RS1E300GNTB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1G-E3/5AT

RS1G-E3/5AT

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.