Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > RS1G120MNTB
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
3749755RS1G120MNTB ImagineLAPIS Semiconductor

RS1G120MNTB

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$0.57
10+
$0.483
100+
$0.363
500+
$0.266
1000+
$0.205
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    RS1G120MNTB
  • Producator / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1.RS1G120MNTB.pdf
    2.RS1G120MNTB.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    8-HSOP
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16.2 mOhm @ 12A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    3W (Ta), 25W (Tc)
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    8-PowerTDFN
  • Alte nume
    RS1G120MNTBCT
  • Temperatura de Operare
    150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    40 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    570pF @ 20V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    9.4nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    40V
  • descriere detaliata
    N-Channel 40V 12A (Ta) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    12A (Ta)

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26

Cartea grafică NVIDIA RTX 5090 are o suprafață GPU de 74...

2024/11/25

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „RS1G120MNTB”.
RS1GB-13

RS1GB-13

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
RS1GFS MXG

RS1GFS MXG

Descriere: DIODE, FAST, 1A, 400V

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
RS1G-13

RS1G-13

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
RS1G180MNTB

RS1G180MNTB

Descriere: MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1G260MNTB

RS1G260MNTB

Descriere: MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1G M2G

RS1G M2G

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
RS1G-E3/61T

RS1G-E3/61T

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
RS1G-13-F

RS1G-13-F

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
RS1GFS MWG

RS1GFS MWG

Descriere: DIODE

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
RS1GFA

RS1GFA

Descriere: DIODE GP 400V 800MA SOD123FA

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1G300GNTB

RS1G300GNTB

Descriere: MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1G-E3/5AT

RS1G-E3/5AT

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
RS1G-M3/5AT

RS1G-M3/5AT

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
RS1GB-13-F

RS1GB-13-F

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
RS1GFSHMWG

RS1GFSHMWG

Descriere: DIODE

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
RS1G R3G

RS1G R3G

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
RS1G150MNTB

RS1G150MNTB

Descriere: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1G

RS1G

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1G-M3/61T

RS1G-M3/61T

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
RS1G/1

RS1G/1

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.