Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > DMN67D8LW-13
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
5052344DMN67D8LW-13 ImagineDiodes Incorporated

DMN67D8LW-13

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
10000+
$0.031
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMN67D8LW-13
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 60V SOT323
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    DMN67D8LW-13.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SOT-323
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5 Ohm @ 500mA, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    320mW (Ta)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    SC-70, SOT-323
  • Alte nume
    DMN67D8LW-13-ND
    DMN67D8LW-13DITR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    32 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    22pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    0.82nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    60V
  • descriere detaliata
    N-Channel 60V 240mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-323
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    240mA (Ta)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMN67D8LW-13”.
DMN67D8L-7

DMN67D8L-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN7022LFG-13

DMN7022LFG-13

Descriere: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN67D7L-13

DMN67D7L-13

Descriere: MOSFETN-CHAN 60V SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN90H8D5HCTI

DMN90H8D5HCTI

Descriere: MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN66D0LT-7

DMN66D0LT-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN67D7L-7

DMN67D7L-7

Descriere: MOSFETN-CHAN 60V SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN80H2D0SCTI

DMN80H2D0SCTI

Descriere: MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN67D8LDW-7

DMN67D8LDW-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN66D0LW-7

DMN66D0LW-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT323

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN65D8LW-7

DMN65D8LW-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT323

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN7022LFGQ-7

DMN7022LFGQ-7

Descriere: MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN90H2D2HCTI

DMN90H2D2HCTI

Descriere: MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN7022LFGQ-13

DMN7022LFGQ-13

Descriere: MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN7022LFG-7

DMN7022LFG-7

Descriere: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN67D8LW-7

DMN67D8LW-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V SOT323

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN67D8L-13

DMN67D8L-13

Descriere: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN67D8LDW-13

DMN67D8LDW-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN66D0LDW-7

DMN66D0LDW-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN95H2D2HCTI

DMN95H2D2HCTI

Descriere: MOSFET N-CH 950V 6A ITO220AB

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN90H8D5HCT

DMN90H8D5HCT

Descriere: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.