Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > DMN66D0LDW-7
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1204988DMN66D0LDW-7 ImagineDiodes Incorporated

DMN66D0LDW-7

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$0.70
10+
$0.60
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMN66D0LDW-7
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    DMN66D0LDW-7.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SOT-363
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5 Ohm @ 115mA, 10V
  • Putere - Max
    250mW
  • ambalare
    Original-Reel®
  • Pachet / Caz
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Alte nume
    DMN66D0LDWDIDKR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    23pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    -
  • Tipul FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Logic Level Gate
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    60V
  • descriere detaliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 115mA 250mW Surface Mount SOT-363
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    115mA
  • Numărul părții de bază
    DMN66D0LDW

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMN66D0LDW-7”.
DMN63D8LW-7

DMN63D8LW-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN67D8L-7

DMN67D8L-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN65D8LQ-7

DMN65D8LQ-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN65D8L-7

DMN65D8L-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN66D0LW-7

DMN66D0LW-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT323

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN67D8LDW-7

DMN67D8LDW-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN65D8LQ-13

DMN65D8LQ-13

Descriere: MOSFET N-CH 60V SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN65D8LDW-7

DMN65D8LDW-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN67D8LW-7

DMN67D8LW-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V SOT323

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN67D8L-13

DMN67D8L-13

Descriere: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN66D0LT-7

DMN66D0LT-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN65D8LW-7

DMN65D8LW-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT323

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN67D8LDW-13

DMN67D8LDW-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN65D8LFB-7B

DMN65D8LFB-7B

Descriere: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN65D8LFB-7

DMN65D8LFB-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN67D8LW-13

DMN67D8LW-13

Descriere: MOSFET N-CH 60V SOT323

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN67D7L-7

DMN67D7L-7

Descriere: MOSFETN-CHAN 60V SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN65D8LDWQ-7

DMN65D8LDWQ-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN65D8LDWQ-13

DMN65D8LDWQ-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN67D7L-13

DMN67D7L-13

Descriere: MOSFETN-CHAN 60V SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.