Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > DMN65D8LFB-7B
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
6886935DMN65D8LFB-7B ImagineDiodes Incorporated

DMN65D8LFB-7B

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
10000+
$0.046
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMN65D8LFB-7B
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    DMN65D8LFB-7B.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    X1-DFN1006-3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3 Ohm @ 115mA, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    430mW (Ta)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    3-UFDFN
  • Alte nume
    DMN65D8LFB-7BDITR
    DMN65D8LFB7B
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    20 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    25pF @ 25V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    60V
  • descriere detaliata
    N-Channel 60V 260mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    260mA (Ta)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMN65D8LFB-7B”.
DMN67D7L-7

DMN67D7L-7

Descriere: MOSFETN-CHAN 60V SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN67D8L-13

DMN67D8L-13

Descriere: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN65D8LDW-7

DMN65D8LDW-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN66D0LDW-7

DMN66D0LDW-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN67D8L-7

DMN67D8L-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN63D8LW-7

DMN63D8LW-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN63D8LDW-7

DMN63D8LDW-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN65D8LW-7

DMN65D8LW-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT323

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN65D8LDWQ-13

DMN65D8LDWQ-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN65D8LDWQ-7

DMN65D8LDWQ-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN63D8LDWQ-7

DMN63D8LDWQ-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN63D8LV-7

DMN63D8LV-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN65D8LQ-7

DMN65D8LQ-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN63D8LW-13

DMN63D8LW-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN66D0LT-7

DMN66D0LT-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN66D0LW-7

DMN66D0LW-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT323

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN67D7L-13

DMN67D7L-13

Descriere: MOSFETN-CHAN 60V SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN65D8LFB-7

DMN65D8LFB-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN65D8LQ-13

DMN65D8LQ-13

Descriere: MOSFET N-CH 60V SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN65D8L-7

DMN65D8L-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.