Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > DMN63D8LV-7
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
6152518DMN63D8LV-7 ImagineDiodes Incorporated

DMN63D8LV-7

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$0.41
10+
$0.37
100+
$0.207
500+
$0.111
1000+
$0.076
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMN63D8LV-7
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    DMN63D8LV-7.pdf
  • Modelul ECAD
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SOT-563
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.8 Ohm @ 250mA, 10V
  • Putere - Max
    450mW
  • ambalare
    Original-Reel®
  • Pachet / Caz
    SOT-563, SOT-666
  • Alte nume
    DMN63D8LV-7DIDKR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    32 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    22pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    0.87nC @ 10V
  • Tipul FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Logic Level Gate
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 260mA 450mW Surface Mount SOT-563
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    260mA
  • Numărul părții de bază
    DMN63D8L

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMN63D8LV-7”.
DMN63D8LDW-7

DMN63D8LDW-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN65D8LDW-7

DMN65D8LDW-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN65D8LQ-7

DMN65D8LQ-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN65D8LFB-7B

DMN65D8LFB-7B

Descriere: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN63D1LV-7

DMN63D1LV-7

Descriere: MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN63D1LV-13

DMN63D1LV-13

Descriere: MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN63D1LT-7

DMN63D1LT-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN63D8L-13

DMN63D8L-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN63D8LW-7

DMN63D8LW-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN63D1LW-13

DMN63D1LW-13

Descriere: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN63D8L-7

DMN63D8L-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN63D8LW-13

DMN63D8LW-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN65D8LDWQ-13

DMN65D8LDWQ-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN65D8LDWQ-7

DMN65D8LDWQ-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN65D8LQ-13

DMN65D8LQ-13

Descriere: MOSFET N-CH 60V SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN63D8LDW-13

DMN63D8LDW-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN63D8LDWQ-7

DMN63D8LDWQ-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN65D8L-7

DMN65D8L-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN63D1LW-7

DMN63D1LW-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN65D8LFB-7

DMN65D8LFB-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.