Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > DMN90H2D2HCTI
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2963955DMN90H2D2HCTI ImagineDiodes Incorporated

DMN90H2D2HCTI

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$1.57
50+
$1.253
100+
$1.096
500+
$0.85
1000+
$0.671
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMN90H2D2HCTI
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Conține plumb / RoHS Compliant
  • Foi de date
    DMN90H2D2HCTI.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    ITO-220AB
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.2 Ohm @ 3A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    40W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
  • Alte nume
    DMN90H2D2HCTI-ND
    DMN90H2D2HCTIDI
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    Not Applicable
  • Producător Standard Timp de plumb
    8 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    1487pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    20.3nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    900V
  • descriere detaliata
    N-Channel 900V 6A (Tc) 40W (Tc) Through Hole ITO-220AB
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    6A (Tc)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMN90H2D2HCTI”.
DMN67D8LW-13

DMN67D8LW-13

Descriere: MOSFET N-CH 60V SOT323

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN7022LFG-7

DMN7022LFG-7

Descriere: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN67D8LW-7

DMN67D8LW-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V SOT323

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMNF1-285FIB-3K

DMNF1-285FIB-3K

Descriere: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

Producători: Panduit
In stoc
RFQ
DMN95H8D5HCT

DMN95H8D5HCT

Descriere: MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN80H2D0SCTI

DMN80H2D0SCTI

Descriere: MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN67D8L-7

DMN67D8L-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN7022LFGQ-13

DMN7022LFGQ-13

Descriere: MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN90H8D5HCT

DMN90H8D5HCT

Descriere: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN67D8LDW-7

DMN67D8LDW-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN90H8D5HCTI

DMN90H8D5HCTI

Descriere: MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMNF1-285FIB-C

DMNF1-285FIB-C

Descriere: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

Producători: Panduit
In stoc
RFQ
DMN67D8LDW-13

DMN67D8LDW-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMNF1-288FIB-3K

DMNF1-288FIB-3K

Descriere: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

Producători: Panduit
In stoc
RFQ
DMN7022LFGQ-7

DMN7022LFGQ-7

Descriere: MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMNF1-285-C

DMNF1-285-C

Descriere: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

Producători: Panduit
In stoc
RFQ
DMN7022LFG-13

DMN7022LFG-13

Descriere: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN95H2D2HCTI

DMN95H2D2HCTI

Descriere: MOSFET N-CH 950V 6A ITO220AB

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN95H8D5HCTI

DMN95H8D5HCTI

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 950V ITO220AB

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMNF1-288-C

DMNF1-288-C

Descriere: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

Producători: Panduit
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.