Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > DMG4822SSD-13
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
54099DMG4822SSD-13 ImagineDiodes Incorporated

DMG4822SSD-13

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
2500+
$0.271
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMG4822SSD-13
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    DMG4822SSD-13.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    8-SO
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20 mOhm @ 8.5A, 10V
  • Putere - Max
    1.42W
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Alte nume
    DMG4822SSD-13DITR
    DMG4822SSD13
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    32 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    478.9pF @ 16V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    10.5nC @ 10V
  • Tipul FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Logic Level Gate
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 10A 1.42W Surface Mount 8-SO
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    10A
  • Numărul părții de bază
    DMG4822

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMG4822SSD-13”.
DMG4800LFG-7

DMG4800LFG-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4822SSDQ-13

DMG4822SSDQ-13

Descriere: MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG504010R

DMG504010R

Descriere: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6

Producători: Panasonic
In stoc
RFQ
DMG563020R

DMG563020R

Descriere: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Producători: Panasonic
In stoc
RFQ
DMG4N65CT

DMG4N65CT

Descriere: MOSFET N CH 650V 4A TO220-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4511SK4-13

DMG4511SK4-13

Descriere: MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4800LK3-13

DMG4800LK3-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 10A TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4712SSS-13

DMG4712SSS-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4N65CTI

DMG4N65CTI

Descriere: MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG563010R

DMG563010R

Descriere: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Producători: Panasonic
In stoc
RFQ
DMG4N60SCT

DMG4N60SCT

Descriere: MOSFET NCH 600V 4.5A TO220

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4710SSS-13

DMG4710SSS-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4800LSD-13

DMG4800LSD-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4468LK3-13

DMG4468LK3-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4N60SJ3

DMG4N60SJ3

Descriere: MOSFET NCH 600V 3A TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4812SSS-13

DMG4812SSS-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4N60SK3-13

DMG4N60SK3-13

Descriere: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4468LFG-7

DMG4468LFG-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4932LSD-13

DMG4932LSD-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4496SSS-13

DMG4496SSS-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.