Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > DMG4N65CTI
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1869893

DMG4N65CTI

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
50+
$1.325
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMG4N65CTI
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Conține plumb / RoHS Compliant
  • Foi de date
    DMG4N65CTI.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    ITO-220AB
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3 Ohm @ 2A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    8.35W (Ta)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
  • Alte nume
    DMG4N65CTIDDI
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    16 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    900pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    13.5nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    650V
  • descriere detaliata
    N-Channel 650V 4A (Tc) 8.35W (Ta) Through Hole ITO-220AB
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    4A (Tc)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMG4N65CTI”.
DMG4N60SK3-13

DMG4N60SK3-13

Descriere: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG563H40R

DMG563H40R

Descriere: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Producători: Panasonic
In stoc
RFQ
DMG4812SSS-13

DMG4812SSS-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4800LK3-13

DMG4800LK3-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 10A TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG563010R

DMG563010R

Descriere: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Producători: Panasonic
In stoc
RFQ
DMG563H10R

DMG563H10R

Descriere: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Producători: Panasonic
In stoc
RFQ
DMG4N65CT

DMG4N65CT

Descriere: MOSFET N CH 650V 4A TO220-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG563020R

DMG563020R

Descriere: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Producători: Panasonic
In stoc
RFQ
DMG4800LSD-13

DMG4800LSD-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4822SSD-13

DMG4822SSD-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4932LSD-13

DMG4932LSD-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG504010R

DMG504010R

Descriere: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6

Producători: Panasonic
In stoc
RFQ
DMG4822SSDQ-13

DMG4822SSDQ-13

Descriere: MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG564040R

DMG564040R

Descriere: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Producători: Panasonic
In stoc
RFQ
DMG4N60SJ3

DMG4N60SJ3

Descriere: MOSFET NCH 600V 3A TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG564050R

DMG564050R

Descriere: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Producători: Panasonic
In stoc
RFQ
DMG564030R

DMG564030R

Descriere: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Producători: Panasonic
In stoc
RFQ
DMG4N60SCT

DMG4N60SCT

Descriere: MOSFET NCH 600V 4.5A TO220

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG564010R

DMG564010R

Descriere: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Producători: Panasonic
In stoc
RFQ
DMG563H50R

DMG563H50R

Descriere: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Producători: Panasonic
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.