Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > DMG4468LFG-7
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
3771520DMG4468LFG-7 ImagineDiodes Incorporated

DMG4468LFG-7

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$0.62
10+
$0.521
100+
$0.391
500+
$0.287
1000+
$0.222
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMG4468LFG-7
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    DMG4468LFG-7.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    U-DFN3030-8
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    15 mOhm @ 11.6A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    990mW (Ta)
  • ambalare
    Original-Reel®
  • Pachet / Caz
    8-PowerUDFN
  • Alte nume
    DMG4468LFG-7DIDKR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    867pF @ 10V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    18.85nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    N-Channel 30V 7.62A (Ta) 990mW (Ta) Surface Mount U-DFN3030-8
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    7.62A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMG4468LFG-7”.
DMG4468LK3-13

DMG4468LK3-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG3420U-7

DMG3420U-7

Descriere: MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4822SSD-13

DMG4822SSD-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4710SSS-13

DMG4710SSS-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG3N60SJ3

DMG3N60SJ3

Descriere: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4511SK4-13

DMG4511SK4-13

Descriere: MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4435SSS-13

DMG4435SSS-13

Descriere: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4468LFG

DMG4468LFG

Descriere: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4466SSSL-13

DMG4466SSSL-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4800LSD-13

DMG4800LSD-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4800LK3-13

DMG4800LK3-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 10A TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4812SSS-13

DMG4812SSS-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4712SSS-13

DMG4712SSS-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13

Descriere: MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4466SSS-13

DMG4466SSS-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG3N60SCT

DMG3N60SCT

Descriere: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4800LFG-7

DMG4800LFG-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4407SSS-13

DMG4407SSS-13

Descriere: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4406LSS-13

DMG4406LSS-13

Descriere: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4496SSS-13

DMG4496SSS-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.