Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > DMG4406LSS-13
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1868742DMG4406LSS-13 ImagineDiodes Incorporated

DMG4406LSS-13

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMG4406LSS-13
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    DMG4406LSS-13.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    8-SO
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11 mOhm @ 12A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    1.5W (Ta)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Alte nume
    DMG4406LSS-13DITR
    DMG4406LSS13
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    1281pF @ 15V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    26.7nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    N-Channel 30V 10.3A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    10.3A (Ta)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMG4406LSS-13”.
DMG3414UQ-7

DMG3414UQ-7

Descriere: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4496SSS-13

DMG4496SSS-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4511SK4-13

DMG4511SK4-13

Descriere: MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4468LK3-13

DMG4468LK3-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4468LFG-7

DMG4468LFG-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13

Descriere: MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG3415UFY4Q-7

DMG3415UFY4Q-7

Descriere: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4466SSSL-13

DMG4466SSSL-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG3415UFY4-7

DMG3415UFY4-7

Descriere: MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG3418L-13

DMG3418L-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4435SSS-13

DMG4435SSS-13

Descriere: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG3414UQ-13

DMG3414UQ-13

Descriere: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG3420U-7

DMG3420U-7

Descriere: MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG3415U-7

DMG3415U-7

Descriere: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG3N60SJ3

DMG3N60SJ3

Descriere: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG3N60SCT

DMG3N60SCT

Descriere: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4466SSS-13

DMG4466SSS-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4468LFG

DMG4468LFG

Descriere: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4407SSS-13

DMG4407SSS-13

Descriere: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG3418L-7

DMG3418L-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.