Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > DMG3415UFY4-7
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
3406799DMG3415UFY4-7 ImagineDiodes Incorporated

DMG3415UFY4-7

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMG3415UFY4-7
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    DMG3415UFY4-7.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    DFN2015H4-3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    39 mOhm @ 4A, 4.5V
  • Distrugerea puterii (Max)
    400mW (Ta)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    3-XFDFN
  • Alte nume
    DMG3415UFY4-7DITR
    DMG3415UFY47
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    281.9pF @ 10V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    10nC @ 4.5V
  • Tipul FET
    P-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    1.8V, 4.5V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    16V
  • descriere detaliata
    P-Channel 16V 2.5A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount DFN2015H4-3
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    2.5A (Ta)

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMG3415UFY4-7”.
DMG3414U-7

DMG3414U-7

Descriere: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG3N60SCT

DMG3N60SCT

Descriere: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG3407SSN-7

DMG3407SSN-7

Descriere: MOSFET P-CH 30V 4A SC59

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG3414UQ-13

DMG3414UQ-13

Descriere: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG3415U-7

DMG3415U-7

Descriere: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG3404L-13

DMG3404L-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13

Descriere: MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG3404L-7

DMG3404L-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG3418L-7

DMG3418L-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG3413L-7

DMG3413L-7

Descriere: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG3406L-13

DMG3406L-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG3415UFY4Q-7

DMG3415UFY4Q-7

Descriere: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG3N60SJ3

DMG3N60SJ3

Descriere: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG3420U-7

DMG3420U-7

Descriere: MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4435SSS-13

DMG4435SSS-13

Descriere: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4406LSS-13

DMG4406LSS-13

Descriere: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG4407SSS-13

DMG4407SSS-13

Descriere: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG3414UQ-7

DMG3414UQ-7

Descriere: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG3406L-7

DMG3406L-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG3418L-13

DMG3418L-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.