Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - Bipolari (BJT) - Single > APT27HZTR-G1
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
6467233APT27HZTR-G1 ImagineDiodes Incorporated

APT27HZTR-G1

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
2000+
$0.081
6000+
$0.073
10000+
$0.065
50000+
$0.054
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    APT27HZTR-G1
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    TRANS NPN 450V 0.8A TO92
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Conține plumb / RoHS Compliant
  • Foi de date
    APT27HZTR-G1.pdf
  • Tensiune - emițător colector (Max)
    450V
  • Vce Saturație (Max) @ Ib, Ic
    500mV @ 40mA, 200mA
  • Tip tranzistor
    NPN
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-92
  • Serie
    -
  • Putere - Max
    800mW
  • ambalare
    Tape & Box (TB)
  • Pachet / Caz
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Alte nume
    APT27HZTR-G1DITB
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    24 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Frecvență - tranziție
    -
  • descriere detaliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 450V 800mA 800mW Through Hole TO-92
  • DC Creșterea curentului (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    6 @ 300mA, 10V
  • Curentul curent - colector (max)
    10µA
  • Curent - Colector (Ic) (Max)
    800mA
  • Numărul părții de bază
    APT27

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „APT27HZTR-G1”.
APT29F80J

APT29F80J

Descriere: MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT2X100D100J

APT2X100D100J

Descriere: DIODE MODULE 1KV 95A ISOTOP

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT25GT120BRG

APT25GT120BRG

Descriere: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT28F60S

APT28F60S

Descriere: MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT29F100B2

APT29F100B2

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT28M120B2

APT28M120B2

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT27GA90BD15

APT27GA90BD15

Descriere: IGBT 900V 48A 223W TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT29F100L

APT29F100L

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 30A TO264

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT27ZTR-G1

APT27ZTR-G1

Descriere: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
APT25SM120B

APT25SM120B

Descriere: POWER MOSFET - SIC

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT26F120L

APT26F120L

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT28M120L

APT28M120L

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 29A TO264

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT25SM120S

APT25SM120S

Descriere: POWER MOSFET - SIC

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT26F120B2

APT26F120B2

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT26M100JCU3

APT26M100JCU3

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT25GT120BRDQ2G

APT25GT120BRDQ2G

Descriere: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT25M100J

APT25M100J

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT28F60B

APT28F60B

Descriere: MOSFET N-CH 600V 28A TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT26M100JCU2

APT26M100JCU2

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT2X100D120J

APT2X100D120J

Descriere: DIODE MODULE 1.2KV 93A ISOTOP

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.