Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > APT25M100J
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
3317765APT25M100J ImagineMicrosemi

APT25M100J

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$32.74
10+
$30.286
30+
$27.831
100+
$25.866
250+
$23.738
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    APT25M100J
  • Producator / Marca
    Microsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1.APT25M100J.pdf
    2.APT25M100J.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    ISOTOP®
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    330 mOhm @ 18A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    545W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Chassis Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    17 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    9835pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    305nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    1000V
  • descriere detaliata
    N-Channel 1000V 25A (Tc) 545W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    25A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „APT25M100J”.
APT25GR120SD15

APT25GR120SD15

Descriere: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT25GT120BRDQ2G

APT25GT120BRDQ2G

Descriere: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT26F120L

APT26F120L

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT25GR120BD15

APT25GR120BD15

Descriere: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT25SM120B

APT25SM120B

Descriere: POWER MOSFET - SIC

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT25GT120BRG

APT25GT120BRG

Descriere: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT26M100JCU3

APT26M100JCU3

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT25GP90BDQ1G

APT25GP90BDQ1G

Descriere: IGBT 900V 72A 417W TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT25GR120BSCD10

APT25GR120BSCD10

Descriere: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT25GR120B

APT25GR120B

Descriere: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT27GA90BD15

APT27GA90BD15

Descriere: IGBT 900V 48A 223W TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT25SM120S

APT25SM120S

Descriere: POWER MOSFET - SIC

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT26M100JCU2

APT26M100JCU2

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT25GP90BG

APT25GP90BG

Descriere: IGBT 900V 72A 417W TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT27HZTR-G1

APT27HZTR-G1

Descriere: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
APT26F120B2

APT26F120B2

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT25GR120S

APT25GR120S

Descriere: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT27ZTR-G1

APT27ZTR-G1

Descriere: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
APT28F60B

APT28F60B

Descriere: MOSFET N-CH 600V 28A TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT25GR120SSCD10

APT25GR120SSCD10

Descriere: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.