Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > APT29F80J
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
5099426APT29F80J ImagineMicrosemi

APT29F80J

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
20+
$32.476
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    APT29F80J
  • Producator / Marca
    Microsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1.APT29F80J.pdf
    2.APT29F80J.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    ISOTOP®
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    210 mOhm @ 24A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    543W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Chassis Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    21 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    9326pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    303nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    800V
  • descriere detaliata
    N-Channel 800V 31A (Tc) 543W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    31A (Tc)

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „APT29F80J”.
APT2X100D60J

APT2X100D60J

Descriere: DIODE MODULE 600V 100A ISOTOP

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT27ZTR-G1

APT27ZTR-G1

Descriere: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
APT26M100JCU3

APT26M100JCU3

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT28F60S

APT28F60S

Descriere: MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT2X100DQ60J

APT2X100DQ60J

Descriere: DIODE MODULE 600V 100A ISOTOP

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT28F60B

APT28F60B

Descriere: MOSFET N-CH 600V 28A TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT29F100B2

APT29F100B2

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT2X100D120J

APT2X100D120J

Descriere: DIODE MODULE 1.2KV 93A ISOTOP

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT27HZTR-G1

APT27HZTR-G1

Descriere: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
APT2X100DQ120J

APT2X100DQ120J

Descriere: DIODE MODULE 1.2KV 100A ISOTOP

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT2X100D40J

APT2X100D40J

Descriere: DIODE MODULE 400V 100A ISOTOP

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT27GA90BD15

APT27GA90BD15

Descriere: IGBT 900V 48A 223W TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT28M120B2

APT28M120B2

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT2X100DQ100J

APT2X100DQ100J

Descriere: DIODE MODULE 1KV 100A ISOTOP

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT28M120L

APT28M120L

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 29A TO264

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT2X100D100J

APT2X100D100J

Descriere: DIODE MODULE 1KV 95A ISOTOP

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT2X100D30J

APT2X100D30J

Descriere: DIODE MODULE 300V 100A ISOTOP

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT2X101D100J

APT2X101D100J

Descriere: DIODE MODULE 1KV 95A ISOTOP

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT29F100L

APT29F100L

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 30A TO264

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT2X100D20J

APT2X100D20J

Descriere: DIODE MODULE 200V 100A ISOTOP

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.