Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, Pre-Biased > RN1907FE,LF(CB
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
4821043RN1907FE,LF(CB ImagineToshiba Semiconductor and Storage

RN1907FE,LF(CB

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
4000+
$0.048
8000+
$0.042
12000+
$0.036
28000+
$0.034
100000+
$0.028
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    RN1907FE,LF(CB
  • Producator / Marca
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
  • Tensiune - emițător colector (Max)
    50V
  • Vce Saturație (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Tip tranzistor
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    ES6
  • Serie
    -
  • Rezistor - bază emițător (R2)
    47 kOhms
  • Rezistor - bază (R1)
    10 kOhms
  • Putere - Max
    100mW
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    SOT-563, SOT-666
  • Alte nume
    RN1907FE(T5L,F,T)
    RN1907FE(T5LFT)TR
    RN1907FE(T5LFT)TR-ND
    RN1907FE,LF(CT
    RN1907FELF(CBTR
    RN1907FELF(CTTR
    RN1907FELF(CTTR-ND
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    16 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecvență - tranziție
    250MHz
  • descriere detaliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
  • DC Creșterea curentului (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Curentul curent - colector (max)
    100nA (ICBO)
  • Curent - Colector (Ic) (Max)
    100mA
RN1911(T5L,F,T)

RN1911(T5L,F,T)

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RN1908FE(TE85L,F)

RN1908FE(TE85L,F)

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RN1907,LF(CT

RN1907,LF(CT

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RN1905,LF(CT

RN1905,LF(CT

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RN1905FE,LF(CB

RN1905FE,LF(CB

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RN1905,LF

RN1905,LF

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RN1910,LF(CT

RN1910,LF(CT

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RN1906FE(T5L,F,T)

RN1906FE(T5L,F,T)

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RN1908(T5L,F,T)

RN1908(T5L,F,T)

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RN1909FE(TE85L,F)

RN1909FE(TE85L,F)

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RN1907,LF

RN1907,LF

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RN1906,LF

RN1906,LF

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RN1906,LF(CT

RN1906,LF(CT

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RN1909(T5L,F,T)

RN1909(T5L,F,T)

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RN1911FETE85LF

RN1911FETE85LF

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RN1906(T5L,F,T)

RN1906(T5L,F,T)

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RN1910FE,LF(CT

RN1910FE,LF(CT

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RN1906FE,LF(CT

RN1906FE,LF(CT

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RN1910FE(T5L,F,T)

RN1910FE(T5L,F,T)

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RN1961(TE85L,F)

RN1961(TE85L,F)

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși