Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, Pre-Biased > RN1907,LF(CT
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2777344RN1907,LF(CT ImagineToshiba Semiconductor and Storage

RN1907,LF(CT

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$0.31
10+
$0.284
25+
$0.204
100+
$0.159
250+
$0.10
500+
$0.085
1000+
$0.058
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    RN1907,LF(CT
  • Producator / Marca
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
  • Modelul ECAD
  • Tensiune - emițător colector (Max)
    50V
  • Vce Saturație (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Tip tranzistor
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    US6
  • Serie
    -
  • Rezistor - bază emițător (R2)
    47 kOhms
  • Rezistor - bază (R1)
    10 kOhms
  • Putere - Max
    200mW
  • ambalare
    Original-Reel®
  • Pachet / Caz
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Alte nume
    RN1907(T5LFT)DKR
    RN1907(T5LFT)DKR-ND
    RN1907LF(CTDKR
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    12 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecvență - tranziție
    250MHz
  • descriere detaliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
  • DC Creșterea curentului (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Curentul curent - colector (max)
    500nA
  • Curent - Colector (Ic) (Max)
    100mA
RN1910FE,LF(CT

RN1910FE,LF(CT

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RN1906(T5L,F,T)

RN1906(T5L,F,T)

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RN1907,LF

RN1907,LF

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RN1905FE,LF(CB

RN1905FE,LF(CB

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RN1905,LF(CT

RN1905,LF(CT

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RN1906,LF

RN1906,LF

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RN1906FE(T5L,F,T)

RN1906FE(T5L,F,T)

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RN1911FETE85LF

RN1911FETE85LF

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RN1906,LF(CT

RN1906,LF(CT

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RN1910,LF(CT

RN1910,LF(CT

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RN1908FE(TE85L,F)

RN1908FE(TE85L,F)

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RN1911(T5L,F,T)

RN1911(T5L,F,T)

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RN1906FE,LF(CT

RN1906FE,LF(CT

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RN1905,LF

RN1905,LF

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RN1908(T5L,F,T)

RN1908(T5L,F,T)

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RN1905(T5L,F,T)

RN1905(T5L,F,T)

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RN1907FE,LF(CB

RN1907FE,LF(CB

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RN1909(T5L,F,T)

RN1909(T5L,F,T)

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RN1909FE(TE85L,F)

RN1909FE(TE85L,F)

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RN1910FE(T5L,F,T)

RN1910FE(T5L,F,T)

Descriere: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși