Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Diode - Redresoare - Single > R6031025HSYA
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
399954

R6031025HSYA

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
30+
$75.524
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    R6031025HSYA
  • Producator / Marca
    Powerex, Inc.
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    R6031025HSYA.pdf
  • Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă
    2V @ 800A
  • Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max)
    1000V
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    DO-205AB, DO-9
  • Viteză
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Timp de recuperare invers (trr)
    1µs
  • ambalare
    Bulk
  • Pachet / Caz
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • Temperatura de funcționare - Junction
    -45°C ~ 150°C
  • Tipul de montare
    Chassis, Stud Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    12 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipul de diodă
    Standard
  • descriere detaliata
    Diode Standard 1000V 250A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • Curenți - Scurgeri inverse @ Vr
    50mA @ 1000V
  • Curent - Mediu rectificat (Io)
    250A
  • Capacitate @ Vr, F
    -

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „R6031025HSYA”.
R6030KNXC7

R6030KNXC7

Descriere: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6031022PSYA

R6031022PSYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6030835ESYA

R6030835ESYA

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6035ENZC8

R6035ENZC8

Descriere: MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6031035ESYA

R6031035ESYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6031225HSYA

R6031225HSYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6030ENX

R6030ENX

Descriere: MOSFET N-CH 600V 30A TO220

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6035KNZC8

R6035KNZC8

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6031235ESYA

R6031235ESYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6030MNX

R6030MNX

Descriere: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6030KNZC8

R6030KNZC8

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6030ENZ1C9

R6030ENZ1C9

Descriere: MOSFET N-CH 600V 30A TO247

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6030KNZ1C9

R6030KNZ1C9

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6035KNZ1C9

R6035KNZ1C9

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6031425HSYA

R6031425HSYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6031222PSYA

R6031222PSYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6031435ESYA

R6031435ESYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6030KNX

R6030KNX

Descriere: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6035ENZ1C9

R6035ENZ1C9

Descriere: MOSFET N-CH 600V 35A TO247

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6030ENZC8

R6030ENZC8

Descriere: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.