Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > R6030ENZ1C9
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1707083R6030ENZ1C9 ImagineLAPIS Semiconductor

R6030ENZ1C9

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$6.47
10+
$5.779
100+
$4.739
500+
$3.837
1000+
$3.236
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    R6030ENZ1C9
  • Producator / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 600V 30A TO247
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    R6030ENZ1C9.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-247
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    130 mOhm @ 14.5A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    120W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-247-3
  • Temperatura de Operare
    150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    17 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    2100pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    85nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    600V
  • descriere detaliata
    N-Channel 600V 30A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „R6030ENZ1C9”.
R6031025HSYA

R6031025HSYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6031022PSYA

R6031022PSYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6030822PSYA

R6030822PSYA

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6030KNX

R6030KNX

Descriere: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6030835ESYA

R6030835ESYA

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6030825HSYA

R6030825HSYA

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6030ENX

R6030ENX

Descriere: MOSFET N-CH 600V 30A TO220

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6030422PSYA

R6030422PSYA

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6030KNXC7

R6030KNXC7

Descriere: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6030KNZC8

R6030KNZC8

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6030635ESYA

R6030635ESYA

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6031222PSYA

R6031222PSYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6030625HSYA

R6030625HSYA

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6030ENZC8

R6030ENZC8

Descriere: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6030MNX

R6030MNX

Descriere: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6031035ESYA

R6031035ESYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6030KNZ1C9

R6030KNZ1C9

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6030622PSYA

R6030622PSYA

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6030435ESYA

R6030435ESYA

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6030425HSYA

R6030425HSYA

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.