Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Diode - Redresoare - Single > R6012625XXYA
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2721343

R6012625XXYA

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
30+
$86.847
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    R6012625XXYA
  • Producator / Marca
    Powerex, Inc.
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    R6012625XXYA.pdf
  • Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă
    1.5V @ 800A
  • Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max)
    2600V
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    DO-205AB, DO-9
  • Viteză
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Timp de recuperare invers (trr)
    11µs
  • ambalare
    Bulk
  • Pachet / Caz
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • Temperatura de funcționare - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • Tipul de montare
    Chassis, Stud Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipul de diodă
    Standard
  • descriere detaliata
    Diode Standard 2600V 250A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • Curenți - Scurgeri inverse @ Vr
    50mA @ 2600V
  • Curent - Mediu rectificat (Io)
    250A
  • Capacitate @ Vr, F
    -

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „R6012625XXYA”.
R6012425XXYA

R6012425XXYA

Descriere: DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6015ENX

R6015ENX

Descriere: MOSFET N-CH 600V 15A TO220

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6013-00

R6013-00

Descriere: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 1/2"

Producători: Harwin
In stoc
RFQ
R6012225XXYA

R6012225XXYA

Descriere: DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6011KNX

R6011KNX

Descriere: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6012FNX

R6012FNX

Descriere: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6011ENX

R6011ENX

Descriere: MOSFET N-CH 600V 11A TO220

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6012ANX

R6012ANX

Descriere: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6015ANZC8

R6015ANZC8

Descriere: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6011830XXYA

R6011830XXYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6015ANX

R6015ANX

Descriere: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6012ANJTL

R6012ANJTL

Descriere: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6012030XXYA

R6012030XXYA

Descriere: DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6015ANJTL

R6015ANJTL

Descriere: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6011KNJTL

R6011KNJTL

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO263

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6011825XXYA

R6011825XXYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6011ENJTL

R6011ENJTL

Descriere: MOSFET N-CH 600V 11A LPT

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6012FNJTL

R6012FNJTL

Descriere: MOSFET N-CH 600V 12A LPT

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6015ENJTL

R6015ENJTL

Descriere: MOSFET N-CH 600V 15A LPT

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6012025XXYA

R6012025XXYA

Descriere: DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.