Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > R6011ENJTL
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
5074806R6011ENJTL ImagineLAPIS Semiconductor

R6011ENJTL

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1000+
$1.90
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    R6011ENJTL
  • Producator / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 600V 11A LPT
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1.R6011ENJTL.pdf
    2.R6011ENJTL.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    LPTS (D2PAK)
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    390 mOhm @ 3.8A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    40W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Alte nume
    R6011ENJTLTR
  • Temperatura de Operare
    150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    17 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    670pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    32nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    600V
  • descriere detaliata
    N-Channel 600V 11A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount LPTS (D2PAK)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    11A (Tc)

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „R6011ENJTL”.
R6011225XXYA

R6011225XXYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6012425XXYA

R6012425XXYA

Descriere: DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6011030XXYA

R6011030XXYA

Descriere: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6011025XXYA

R6011025XXYA

Descriere: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6011825XXYA

R6011825XXYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6011KNJTL

R6011KNJTL

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO263

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6011230XXYA

R6011230XXYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1.2KV 300A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6012ANJTL

R6012ANJTL

Descriere: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6012030XXYA

R6012030XXYA

Descriere: DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6011ENX

R6011ENX

Descriere: MOSFET N-CH 600V 11A TO220

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6011KNX

R6011KNX

Descriere: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6012025XXYA

R6012025XXYA

Descriere: DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6011625XXYA

R6011625XXYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6012625XXYA

R6012625XXYA

Descriere: DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6011830XXYA

R6011830XXYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6012ANX

R6012ANX

Descriere: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
R6011430XXYA

R6011430XXYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6012225XXYA

R6012225XXYA

Descriere: DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6011425XXYA

R6011425XXYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
R6011630XXYA

R6011630XXYA

Descriere: DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205

Producători: Powerex, Inc.
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.