Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Diode - Redresoare - Single > JAN1N5807URS
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
896630

JAN1N5807URS

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
100+
$19.466
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    JAN1N5807URS
  • Producator / Marca
    Microsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Conține plumb / RoHS neconform
  • Foi de date
    JAN1N5807URS.pdf
  • Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă
    875mV @ 4A
  • Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max)
    50V
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    B, SQ-MELF
  • Viteză
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Timp de recuperare invers (trr)
    30ns
  • ambalare
    Bulk
  • Pachet / Caz
    SQ-MELF, B
  • Alte nume
    1086-19438
    1086-19438-MIL
  • Temperatura de funcționare - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipul de diodă
    Standard
  • descriere detaliata
    Diode Standard 50V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
  • Curenți - Scurgeri inverse @ Vr
    5µA @ 50V
  • Curent - Mediu rectificat (Io)
    3A
  • Capacitate @ Vr, F
    60pF @ 10V, 1MHz

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „JAN1N5807URS”.
JAN1N5802

JAN1N5802

Descriere: DIODE GEN PURP 50V 2.5A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5802US

JAN1N5802US

Descriere: DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5806US

JAN1N5806US

Descriere: DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5804URS

JAN1N5804URS

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5814

JAN1N5814

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
RFQ
JAN1N5811

JAN1N5811

Descriere: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5811URS

JAN1N5811URS

Descriere: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5807US

JAN1N5807US

Descriere: DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5809

JAN1N5809

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5804US

JAN1N5804US

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5804

JAN1N5804

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5811US

JAN1N5811US

Descriere: DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5806

JAN1N5806

Descriere: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5807

JAN1N5807

Descriere: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5806URS

JAN1N5806URS

Descriere: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5809US

JAN1N5809US

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5809URS

JAN1N5809URS

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5816

JAN1N5816

Descriere: DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
RFQ
JAN1N5819-1

JAN1N5819-1

Descriere: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5802URS

JAN1N5802URS

Descriere: DIODE GEN PURP 50V 1A APKG

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.